| 摘要 |
回路パターン（２）がセラミック基板（１）の上面に接合されている。冷却体（３）がセラミック基板（１）の下面に接合されている。ＩＧＢＴ（４）とＦＷＤ（５）が回路パターン（２）上に実装されている。コーティング膜（１６）が、セラミック基板（１）と回路パターン（２）の接合部、及びセラミック基板（１）と冷却体（３）の接合部を覆っている。モールド樹脂（１７）が、セラミック基板（１）、回路パターン（２）、ＩＧＢＴ（４）、ＦＷＤ（５）、冷却体（３）、及びコーティング膜（１６）等を封止している。セラミック基板（１）はコーティング膜（１６）より熱伝導率が高い。コーティング膜（１６）は、モールド樹脂（１７）よりも硬度が低く、モールド樹脂（１７）からセラミック基板（１）にかかる応力を緩和する。回路パターン（２）と冷却体（３）は、コーティング膜（１６）で覆われずモールド樹脂（１７）に接する溝（１８）を有する。 |
