| 发明名称 | 硅片电镀铜后的清洗方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种硅片电镀铜后的清洗方法，该方法通过在电镀铜后的硅片进行去边工艺或背清洗工艺的同时，采用脉冲水流对硅片正表面进行保护，有效减少了高速腐蚀液因反溅到硅片表面或形成酸雾而造成的硅片表面的铜镀层的缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN102140669B | 申请公布日期 | 2016.06.01 |
| 申请号 | CN201110064597.2 | 申请日期 | 2011.03.17 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 林宏 |
| 分类号 | C25D21/08(2006.01)I;C25D7/12(2006.01)I;H01L21/288(2006.01)I | 主分类号 | C25D21/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人 | 吴世华;林彦之 |
| 主权项 | 一种硅片电镀铜后的清洗方法，其特征在于，在对电镀铜后的硅片进行去边工艺或背清洗工艺的同时，采用脉冲水流对硅片正表面进行保护；其中，当进行去边工艺时，所述脉冲水流的流速为30～300升/分钟，脉冲宽度为1～3秒，脉冲间隔时间为1～3秒；当进行背清洗工艺时，所述脉冲水流的流速为1000～2000升/分钟，脉冲宽度为4～10秒，脉冲间隔时间为1～5秒。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号 | ||