一种高压倒装芯片结构及其制备方法

摘要

一种高压倒装芯片结构及其制备方法，该芯片结构自上至下依次设置有衬底、N型GaN层、量子阱有源区、P型GaN层、光反射层和金属阻挡层，P型GaN层上设置有P电极，N型GaN层上设置有N电极，光反射层上在P电极和N电极之外的地方设置有TiW阻挡层，TiW阻挡层上设置有绝缘层，P电极和N电极的底部通过电极金属膜设置有N极焊盘，P极焊盘和N极焊盘之间设置有焊盘间绝缘层；其制备方法包括以下步骤：制备外延片、蒸镀光反射层、沉积金属阻挡层、镀电极金属膜、切割隔离槽、沉积绝缘层、镀FC金属膜、制作焊盘间绝缘层和切割出。本发明实现了大电压驱动，防止了光反射层的金属进行扩散，绝缘性好，提高了芯片以及器件的稳定性和可靠性。

主权项

一种高压倒装芯片结构，自上至下依次设置有衬底、N型GaN层、量子阱有源区、P型GaN层和光反射层，其特征是，P型GaN层上设置有P电极，N型GaN层上设置有N电极，光反射层上在P电极和N电极之外的地方设置有金属阻挡层，金属阻挡层上设置有绝缘层，P电极和N电极的底部设置有电极金属膜，P电极底部的电极金属膜上设置有P极焊盘，N电极底部的电极金属膜上设置有N极焊盘，P极焊盘和N极焊盘之间设置有焊盘间绝缘层。