高效发光二极管

摘要

本发明的示例性实施例涉及一种高效发光二极管(LED)。根据示例性实施例的LED包括：基底；半导体堆叠件，布置在基底上，其中，半导体堆叠件具有p型半导体层、有源层和n型半导体层；第一金属层，设置在基底和半导体堆叠件之间，第一金属层与半导体堆叠件欧姆接触；第一电极焊盘，布置在半导体堆叠件上；电极延伸件，从第一电极焊盘延伸，其中，电极延伸件具有与n型半导体层接触的接触区；第一绝缘层，设置在基底和半导体堆叠件之间，其中，第一绝缘层覆盖p型半导体层的在电极延伸件的接触区下方的表面区域；第二绝缘层，设置在第一电极焊盘和半导体堆叠件之间。

主权项

一种发光二极管，所述发光二极管包括：基底；半导体堆叠件，布置在基底上，半导体堆叠件包括p型半导体层、有源层和n型半导体层；第一金属层，设置在基底和半导体堆叠件之间，第一金属层与半导体堆叠件欧姆接触；第一电极焊盘，布置在半导体堆叠件上；电极延伸件，从第一电极焊盘延伸，电极延伸件包括与n型半导体层接触的接触区；第一绝缘层，设置在基底和半导体堆叠件之间，第一绝缘层覆盖p型半导体层的在电极延伸件的接触区下方的第一区域；第二绝缘层，设置在第一电极焊盘和半导体堆叠件之间，其中，基底包括：第二金属层，包含W和Mo中的至少一种；第三金属层，分别布置在第二金属层的第一表面和第二表面上，第三金属层的热膨胀系数比第二金属层的热膨胀系数高。