| 发明名称 |
CMOS电流复制镜像电路 |
| 摘要 |
CMOS电流复制镜像电路，包括镜像管，其特征在于：还包括与镜像输入管连接的第一隔离管（3），与镜像输出管连接的第二隔离管（4），所述第一隔离管和第二隔离管的栅极都与输入端（1）连接，第一隔离管的漏极与输入端之间还有调压电阻（5），第二隔离管的漏极连接输出端（2）。采用本发明所述CMOS电流复制镜像电路，利用层叠管对镜像管源漏电压的差值进行了稳定，沟道长度调制效应被屏蔽，使电流镜的电流复制精度提高，适用于CMOS工艺下的大比例电流复制。 |
| 申请公布号 |
CN105630062A |
申请公布日期 |
2016.06.01 |
| 申请号 |
CN201410575235.3 |
申请日期 |
2014.10.25 |
| 申请人 |
陈蕾 |
发明人 |
陈蕾 |
| 分类号 |
G05F3/26(2006.01)I |
主分类号 |
G05F3/26(2006.01)I |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
CMOS电流复制镜像电路，包括镜像管，其特征在于：还包括与镜像输入管连接的第一隔离管（3），与镜像输出管连接的第二隔离管（4），所述第一隔离管和第二隔离管的栅极都与输入端（1）连接，第一隔离管的漏极与输入端之间还有调压电阻（5），第二隔离管的漏极连接输出端（2）。 |
| 地址 |
610000 四川省成都市武侯区一环路南一段24号 |
