| 摘要 |
트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자에 관해 개시되어 있다. 개시된 트랜지스터는 채널층, 소오스, 드레인 및 게이트를 덮는 것으로 높이 방향으로 성분이 달라지는 보호층(passivation layer)을 포함할 수 있다. 상기 보호층은 순차로 적층된 실리콘 산화물층, 실리콘 질산화물층 및 실리콘 질화물층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 또는 상기 보호층은 순차로 적층된 고온 산화물층 및 질화물층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 상기 채널층은 산화물반도체를 포함할 수 있다. |
