具有背侧支撑层的绝缘体上半导体

摘要

本发明实施例为绝缘体上半导体(SOI)结构提供了有效支撑。本发明实施例还可为SOI结构提供改进的散热性能，同时保持SOI结构所伴随的有益的电器件特性。在一个实施例中，公开了一种集成电路。集成电路包括：来自绝缘体上硅晶圆的绝缘体上硅芯片。所述绝缘体上硅芯片具有有源层、绝缘层、基板以及加强层。所述基板由挖掉的基板区域和支撑区域组成，所述支撑区域与所述绝缘层接触。所述支撑区和所述加强层域被配置成共同作用，以便在从所述绝缘体上硅晶圆切片出所述绝缘体上硅芯片时为所述绝缘体上硅芯片提供所需的大部分稳定力。

主权项

一种集成电路，包括：来自绝缘体上硅晶圆的绝缘体上硅芯片，所述绝缘体上硅芯片具有有源层、绝缘层和基板；其中所述基板由挖掉的基板区域和支撑区域组成，所述支撑区域与所述绝缘层接触；以及提供隔开的散热通道的加强层，所述隔开的散热通道与所述有源层中的最低金属层接触；其中所述加强层包括高抗断强度或高抗弯强度的材料，并且设置在所述挖掉的基板区域中；并且其中所述支撑区域被配置成在从所述绝缘体上硅晶圆切片出所述绝缘体上硅芯片时为所述绝缘体上硅芯片提供所需的大部分稳定力。