发明名称 |
用于深部位经颅磁刺激的多层偏心8字形线圈 |
摘要 |
用于深部经颅磁刺激的多层偏心8字形线圈,采用多层布置线圈,第一层构成基础8字形线圈,下面各层线圈沿8字形线圈中心线对称分布,调节磁场和感应电场。各层线圈中心线与对称轴的距离通过优化方法确定,优化的目标是使线圈表面产生的感应电场E(z0)和深部位感应电场E(z)比值最小。各层线圈可以在同一平面上布置,也可以相交成一定角度。本发明在深部位达到阈电位时,线圈表面感应电场处于安全的范围内,并在深部位有良好的聚焦。本发明得到的多层偏心8字形线圈沿深度方向感应电场衰减指标接近甚至优于H线圈。 |
申请公布号 |
CN105597234A |
申请公布日期 |
2016.05.25 |
申请号 |
CN201510398375.2 |
申请日期 |
2015.07.09 |
申请人 |
北京大学 |
发明人 |
王为民;王春忠 |
分类号 |
A61N2/04(2006.01)I |
主分类号 |
A61N2/04(2006.01)I |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
用于深部位经颅磁刺激的多层偏心8字形线圈,由n(n≥2)层线圈组成,沿轴向叠加,最上层的一对线圈相切,组成基础8字形线圈,产生基础磁场和感应电场;以基础8字形线圈的切线为对称轴,下层的线圈成对出现;下面各层线圈中心轴与对称轴的距离依据优化方法确定,满足深部位磁刺激E(z0)/E(z)尽量小的要求。 |
地址 |
100871 北京市海淀区成府路205号北京大学信息科学技术学院 |