30μm-50μm超薄石英基片上光刻刻蚀薄膜电路图形的方法

摘要

本发明提供一种用于超薄石英基片上光刻刻蚀薄膜电路图形的方法，通过使用紫外敏感正性光刻胶作为粘结剂将超薄石英基片与承载基片抛光面粘接形成临时键合体，然后在超薄石英基片上表面进行薄膜电路图形的光刻和刻蚀。采用上述方案，工艺简单易行，成本低廉，良品率高；超薄石英基片的取放使用真空笔吸附，避免人为损坏基片带来废品；该支撑基片还可重复利用，适合批量生产。

主权项

一种用于30μm‑50μm超薄石英基片上光刻刻蚀薄膜电路图形的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤101：将30μm‑50μm超薄石英基片双面抛光并将其设置形成金属薄膜，设置承载基片的至少一面为抛光面；步骤102：将30μm‑50μm超薄石英基片的金属薄膜表面朝上，30μm‑50μm超薄石英基片的另一面与承载基片的抛光面通过光刻胶粘接形成一临时键合体；步骤103：经过涂覆光刻胶、前烘、曝光、显影和后烘后，在30μm‑50μm超薄石英基片的金属薄膜上形成抗蚀剂图形；步骤104：将抗蚀剂图形通过湿法刻蚀或干法刻蚀后传递到金属薄膜上；步骤105：去除光刻胶，并将临时键合体分离，得到一形成薄膜电路图形的30μm‑50μm超薄石英基片。