发明名称 |
利用通道反应装置制备巯基硅烷偶联剂的方法 |
摘要 |
本发明提供了一种利用通道反应装置制备巯基硅烷偶联剂的方法,在溶剂条件下,利用通道反应装置制备巯基硅烷偶联剂,其中,巯基硅烷偶联剂结构通式为:X<sub>m</sub>SiC<sub>3</sub>H<sub>6</sub>S(C=O)<sub>n</sub>Y,式中,每个X独立地为烷基、烷氧基、羟基、R(OR’)<sub>L</sub>O-、-ORO-或N(RO-)<sub>3</sub>,至少一个X为烷氧基、羟基或N(RO-)<sub>3</sub>,Y为氢或烷基,R、R’分别独立地为直链的或者支链的烷基,L的平均值为1-30,m为1、2或3,n为0或1;通道反应装置通道的折算直径为1微米-数厘米;通道反应装置连接一个后处理装置。解决了大尺寸反应设备反应周期长、稳定性差、杂质聚合体等问题,尤其是消减了大尺寸反应设备生产带来的臭味问题。 |
申请公布号 |
CN105601661A |
申请公布日期 |
2016.05.25 |
申请号 |
CN201610162596.4 |
申请日期 |
2016.03.22 |
申请人 |
南京曙光精细化工有限公司 |
发明人 |
陶再山;李春华 |
分类号 |
C07F7/18(2006.01)I |
主分类号 |
C07F7/18(2006.01)I |
代理机构 |
江苏圣典律师事务所 32237 |
代理人 |
于淼 |
主权项 |
一种利用通道反应装置制备巯基硅烷偶联剂的方法,其特征在于,在溶剂条件下,利用通道反应装置制备巯基硅烷偶联剂,其中,(1)所述巯基硅烷偶联剂结构通式为式(a):X<sub>m</sub>SiC<sub>3</sub>H<sub>6</sub>S(C=O)<sub>n</sub>Y…………………………(a)式中,每个X独立地为烷基、烷氧基、羟基、R(OR’)<sub>L</sub>O‑、‑ORO‑或N(RO‑)<sub>3</sub>,至少一个X为烷氧基、羟基或N(RO‑)<sub>3</sub>,Y为氢或烷基,R、R’分别独立地为直链的或者支链的烷基,L的平均值为1‑30,m为1、2或3,n为0或1;(2)所述通道反应装置通道的折算直径为1微米‑数厘米;(3)所述通道反应装置连接一个后处理装置。 |
地址 |
210047 江苏省南京市南京化学工业园区崇福路226号 |