| 发明名称 |
一种快速软恢复二极管 |
| 摘要 |
本实用新型公开一种快速软恢复二极管，包括：一阴极n+区(1)，一p+缓冲区(2)，一n缓冲区(3)，一n-漂移区(4)，一p基区(5)和一阳极p+区(6)。本实用新型在阴极侧隐埋的p+缓冲区，在反向恢复期间可以向n-漂移区注入少数载流子空穴，降低nn+结处的电场强度，改善反向恢复软度，并提高了抗反向恢复动态雪崩能力。 |
| 申请公布号 |
CN205264708U |
申请公布日期 |
2016.05.25 |
| 申请号 |
CN201520989889.0 |
申请日期 |
2015.12.03 |
| 申请人 |
厦门元顺微电子技术有限公司;大连连顺电子有限公司;友顺科技股份有限公司 |
发明人 |
陈利;徐承福;高耿辉;姜帆 |
| 分类号 |
H01L29/06(2006.01)I;H01L29/868(2006.01)I;H01L21/33(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种快速软恢复二极管，其特征在于，包括：一阴极n+区(1)；一p+缓冲区(2)，配置于该阴极n+区(1)上；一n缓冲区(3)，配置于该阴极n+区(1)及该p+缓冲区(2)上并覆盖该p+缓冲区(2)；一n‑漂移区(4)，配置于该n缓冲区(3)上；一p基区(5)，配置于该n‑漂移区(4)上；一阳极p+区(6)，配置于该p基区(5)上。 |
| 地址 |
361008 福建省厦门市软件园二期观日路48号701单元 |
