发明名称 排列式存储器单元
摘要 各种实施例包括具有至少两个电阻改变存储器RCM单元的设备。在一个实施例中,设备包含耦合到所述RCM单元中的每一者的至少两个电触点。存储器单元材料安置于耦合到所述RCM中的每一者的所述电触点中的每一者的对之间。所述存储器单元材料能够在所述电触点之间形成导电路径,其中所述存储器单元材料的至少一部分经布置以交叉耦合电耦合到所述至少两个RCM单元中的每一者的所述至少两个电触点的选定者之间的导电路径。本发明还描述额外设备及方法。
申请公布号 CN104350598B 申请公布日期 2016.05.25
申请号 CN201380030235.9 申请日期 2013.05.07
申请人 美光科技公司 发明人 斯科特·E·西里斯
分类号 H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I 主分类号 H01L27/115(2006.01)I
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人 宋献涛
主权项 一种存储器设备,其包括:至少两个电阻改变存储器RCM单元;至少两个电触点,其电耦合到所述至少两个RCM单元中的每一者;及存储器单元材料,其安置于耦合到所述至少两个RCM单元中的每一者的所述至少两个电触点的对之间,所述存储器单元材料能够在所述至少两个电触点之间形成导电路径,所述存储器单元材料的至少一部分经布置以交叉耦合电耦合到所述至少两个RCM单元中的每一者的所述至少两个电触点的选定者之间的导电路径。
地址 美国爱达荷州