一种制造金属栅半导体器件的方法

摘要

本发明提供一种制造金属栅半导体器件的方法，包括步骤：提供半导体衬底，包括核心器件区域和I/O器件区域；在所述I/O器件区域的衬底上形成氧化层；在所述核心器件区域的衬底上以及在所述I/O器件区域的氧化层上形成伪栅极介质层；在所述伪栅极介质层上形成伪栅极；在所述衬底中形成源漏极；去除所述伪栅极和所述伪栅极介质层以形成沟槽；填充所述沟槽形成金属栅极。本发明中刻蚀核心器件区域和I/O器件区域的伪栅极介质层可以同步进行且不需要掩膜来对I/O器件区域进行保护，从而很好地把该步骤整合到了金属栅半导体器件的高k后栅极制造工艺中。

主权项

一种制造金属栅半导体器件的方法，包括步骤：a)提供半导体衬底，包括核心器件区域和I/O器件区域；b)使用热氧化的方法在所述I/O器件区域的衬底上形成氧化层；c)使用CVD或化学氧化的方法在所述核心器件区域的衬底上以及在所述I/O器件区域的氧化层上形成伪栅极介质层；d)在所述伪栅极介质层上形成伪栅极；e)在所述衬底中形成源漏极；f)去除所述伪栅极和所述伪栅极介质层以形成沟槽；g)填充所述沟槽形成金属栅极。