具有自对准栅结构的半导体器件及其制造方法

摘要

公开了具有自对准栅结构的半导体器件及其制造方法。根据实施例，该方法可以包括：在衬底上形成沿第一方向延伸的鳍状结构，包括衬底上至少一个第一牺牲层和至少一个半导体层的交替叠层；在形成有鳍状结构的衬底上形成沿与第一方向相交的第二方向延伸的第二牺牲层，其在第一方向的延伸范围小于鳍状结构的延伸范围，在第二方向的延伸范围大于鳍状结构的延伸范围；将鳍状结构构图为对于任一半导体层，在第一方向上的相对两侧，其上方的第一或第二牺牲层的侧壁与其下方的第一牺牲层的侧壁彼此自对准，各第一牺牲层和第二牺牲层构成环绕着各半导体层的牺牲栅；在牺牲栅的侧壁上选择性形成栅侧墙；去除牺牲栅，并在栅侧墙限定的空间内形成栅堆叠。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成沿第一方向延伸的鳍状结构，所述鳍状结构包括在衬底上交替叠置的至少一个第一牺牲层和至少一个半导体层的叠层；在形成有鳍状结构的衬底上形成沿与第一方向相交的第二方向延伸的第二牺牲层，第二牺牲层沿第一方向延伸范围小于鳍状结构的延伸范围，而沿第二方向延伸范围大于鳍状结构的延伸范围；将鳍状结构构图为对于任一半导体层，在第一方向上的相对两侧，其上方的第一或第二牺牲层的侧壁与其下方的第一牺牲层的侧壁彼此自对准，且各第一牺牲层和第二牺牲层构成环绕着各半导体层的牺牲栅；在牺牲栅的侧壁上选择性形成栅侧墙；以及去除牺牲栅，并在栅侧墙限定的空问内形成栅堆叠。