Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements und ein Halbleiterbauelement

摘要

Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements umfasst das Implantieren einer definierten Dosis von Protonen in ein Halbleitersubstrat und das Tempern des Halbleitersubstrats gemäß einem definierten Temperaturprofil. Zumindest eines der definierten Dosis von Protonen und des definierten Temperaturprofils wird abhängig von einem Kohlenstoff-bezogenen Parameter ausgewählt, der Informationen über eine Kohlenstoffkonzentration innerhalb von zumindest einem Teil des Halbleitersubstrats anzeigt.