| 摘要 |
본 발명의 산화물 박막 트랜지스터용 스퍼터링 타겟(sputtering target)의 제조방법 및 산화물 박막 트랜지스터용 액티브층의 제조방법은 산화물 반도체를 액티브층으로 사용한 산화물 박막 트랜지스터의 제조에 있어, 징크-틴-옥사이드(Zinc Tin Oxide; ZTO) 분말에 소량의 투명 전도성 산화물(Transparent Conductive Oxide; TCO)계열의 도펀트(dopant)를 추가하여 DC(direct current) 스퍼터링이 가능한 ZTO 타겟을 제작하는 것을 특징으로 한다. 그 결과 우수한 특성의 산화물 반도체를 양산공정에 적용시킬 수 있다. |
