Halbleitervorrichtung

摘要

Die vorliegende Erfindung hat zur Aufgabe, eine Halbleitervorrichtung mit einer erreichbaren verbesserten Bestückungsleistung und Verkleinerung bereitzustellen. Eine Halbleitervorrichtung (1) gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst: einen IGBT, der in einem Si-Substrat (13) ausgebildet ist; eine Temperaturerfassungsdiode (2), die im Si-Substrat (13) ausgebildet ist; eine Emitter-Elektrodenanschlussfläche (6) für den IGBT, wobei die Emitter-Elektrodenanschlussfläche auf dem Si-Substrat (13) vorgesehen ist; und eine Kathoden-Emitter-Verbindungsleiterbahn (19), die über dem Si-Substrat (13) vorgesehen ist und eine Kathodenelektroden-Anschlussfläche (3) für die Temperaturerfassungsdiode (2) und die Emitter-Elektrodenanschlussfläche (6) elektrisch verbindet.