| 发明名称 | 太阳能电池叠堆 | ||
| 摘要 | 太阳能电池叠堆具有第一半导体太阳能电池，其中，第一半导体太阳能电池具有由具有第一晶格常数的第一材料构成的pn结，并且该太阳能电池叠堆具有第二半导体太阳能电池，其中，第二半导体太阳能电池具有由具有第二晶格常数的第二材料构成的pn结，并且所述第一晶格常数比所述第二晶格常数小至少<img file="DDA0000843274390000011.GIF" wi="205" he="71" />并且太阳能电池叠堆具有变质缓冲部，其中，变质缓冲部构造在第一半导体太阳能电池和第二半导体太阳能电池之间，并且变质缓冲部包括三个层的序列并且晶格常数在该序列中沿第二半导体太阳能电池的方向增加，并且变质缓冲部的层的晶格常数大于第一晶格常数，其中，缓冲部的两个层具有掺杂，并且其中，这些层之间的掺杂物浓度方面的差别大于4E17cm<sup>-3</sup>。 | ||
| 申请公布号 | CN105590983A | 申请公布日期 | 2016.05.18 |
| 申请号 | CN201510763317.5 | 申请日期 | 2015.11.10 |
| 申请人 | 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司 | 发明人 | D·富尔曼;W·古特 |
| 分类号 | H01L31/0687(2012.01)I;H01L31/0352(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0687(2012.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 曾立 |
| 主权项 | 一种太阳能电池叠堆(10)，其具有：第一半导体太阳能电池(20)，其中，所述第一半导体太阳能电池(20)具有由具有第一晶格常数(a1)的第一材料构成的pn结；第二半导体太阳能电池(30)，其中，所述第二半导体太阳能电池(30)具有由具有第二晶格常数(a2)的第二材料构成的pn结；所述第一晶格常数(a1)比所述第二晶格常数(a2)小至少<img file="FDA0000843274360000011.GIF" wi="205" he="70" />变质缓冲部(40)，其中，所述变质缓冲部(40)构造在所述第一半导体太阳能电池(20)和所述第二半导体太阳能电池(30)之间；所述变质缓冲部(40)包括至少三个层的序列并且晶格常数(ap1，ap2，ap3，ap4，ap5)沿所述第二半导体太阳能电池(30)的方向增加；所述变质缓冲部(40)的层(ap1，ap2，ap3，ap4，ap5)的晶格常数大于所述第一晶格常数(a1)，其特征在于，所述缓冲部(40)的两个层具有掺杂(D)，其中，在这些层之间的掺杂物浓度(N/cm<sup>‑3</sup>)方面的差别大于4E17cm<sup>‑3</sup>。 | ||
| 地址 | 德国海尔伯隆 | ||