| 发明名称 | 钽溅射靶 | ||
| 摘要 | 一种钽溅射靶，其特征在于，含有合计1质量ppm以上且低于10质量ppm的铌和钨作为必要成分，并且除铌、钨和气体成分以外的纯度为99.9999％以上。本发明得到一种高纯度钽溅射靶，其具有均匀且调节为最佳范围的微细的组织，可以稳定地实现高的成膜速度，并且可以形成均匀的膜。 | ||
| 申请公布号 | CN105593399A | 申请公布日期 | 2016.05.18 |
| 申请号 | CN201480054575.X | 申请日期 | 2014.09.26 |
| 申请人 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 发明人 | 小田国博 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 胡嵩麟;王海川 |
| 主权项 | 一种钽溅射靶，其特征在于，含有合计1质量ppm以上且低于10质量ppm的铌和钨作为必要成分，并且除铌、钨和气体成分以外的纯度为99.9999％以上。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||