| 摘要 |
본 발명은, 채널 저항을 감소시키면서, 게이트 절연막의 신뢰성을 높이는 탄화규소 반도체 장치를 제공한다. 본 발명은, 에피택셜층(2) 표층에 부분적으로 형성된 트렌치(3)와, 트렌치의 측면 및 저면을 따라 형성된 웰층(4)과, 트렌치의 저면에 있어서의 웰층 표층에 형성된 소스 영역(5)과, 게이트 절연막(7)과, 게이트 전극(8)을 구비한다. 게이트 절연막은, 트렌치의 측면을 따라 형성되고, 또한, 일단이 소스 영역에 도달하도록 형성되어 있다. 게이트 전극은, 트렌치의 측면을 따라 형성되고, 또한, 게이트 절연막상에 형성되어 있다. |
