发明名称 |
一种去除单壁碳纳米管中碳杂质的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种去除单壁碳纳米管中碳杂质的方法,包括机械研磨、高温氢气或中温等离子体氢气处理,气流分级筛选以及重复上述步骤两至三次;该方法可将单壁碳纳米管中的碳杂质即洋葱碳纳米颗粒,多壁碳纳米管或无定形碳的质量分数由50%降低至0.05%以下;同时由于是完全干法处理,能够保持单壁碳纳米管的膨松结构,为超级电容器储能或透明导电显示等应用提供基础;本方法具有设备少、操作简单、易重复,过程易放大,成本低的优点。 |
申请公布号 |
CN104310375B |
申请公布日期 |
2016.05.18 |
申请号 |
CN201410528149.7 |
申请日期 |
2014.10.09 |
申请人 |
清华大学 |
发明人 |
魏飞;张兴华;骞伟中;张强 |
分类号 |
C01B31/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I |
主分类号 |
C01B31/02(2006.01)I |
代理机构 |
西安智大知识产权代理事务所 61215 |
代理人 |
贾玉健 |
主权项 |
一种去除单壁碳纳米管中碳杂质的方法,其特征在于:包括如下步骤:步骤1:将含碳杂质的单壁碳纳米管产品用机械研磨的方法研磨1‑24h;步骤2:将机械研磨后的单壁碳纳米管产品置于反应器中,通入含氢气的气体,在高温或中温等离子体的环境中进行处理;步骤3:将处理后的单壁碳纳米管产品再利用气流分级筛选的方法处理,然后降至室温;步骤4:重复上述步骤1‑3一至三次;步骤2所述的含氢气的气体指氢气,或氢气与氦气的混合气体,或氢气与氩气的混合气体,含氢气的气体中氢气的体积分数为50‑100%;高温处理时的温度为700‑850℃,绝对压力为0.1‑0.3Mpa,处理时间为1‑72h,氢气的重量空速为0.1‑10g/g碳杂质/h;中温等离子体氢气处理时的温度为300‑550℃,绝对压力为0.1‑0.3Mpa,处理时间为1‑72h,氢气的重量空速为0.1‑10g/g碳杂质/h;步骤3所述的利用气流分级筛选的方法处理,具体为:使反应器中通入氢气、氦气或氩气中的一种或多种气体,控制气速为0.01‑0.1m/s,处理时间为0.1‑0.5h,将碳杂质与单壁碳纳米管分离。 |
地址 |
100084 北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室 |