| 发明名称 |
半导体装置以及上述的制造方法 |
| 摘要 |
多个范例实施例，一种半导体装置包括了基板，此基板包括了P型金氧半导体场效电晶体(PMOSFET)区域与N型金氧半导体场效电晶体(NMOSFET)区域，其中第一闸极电极和第二闸极电极在P型金氧半导体场效电晶体区域中，第三闸极电极和第四闸极电极在N型金氧半导体场效电晶体区域，以及第一接点(first contact)与第二接点(second contact)分别连接第一闸极电极与第四闸极电极。第一到第四闸极截止电极定义闸极截止区，其通过第一与第三闸极电极之间以及通过第二与第四闸极电极之间。当直视观之时，每个第一与第二接点的一部份重叠于闸极截止区。 |
| 申请公布号 |
TW201618279 |
申请公布日期 |
2016.05.16 |
| 申请号 |
TW104129443 |
申请日期 |
2015.09.07 |
| 申请人 |
三星电子股份有限公司 |
发明人 |
朴判济;金秀泰;金东铉;金夏永;都桢湖;朴善暎;白尙训;崔在完 |
| 分类号 |
H01L27/092(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/092(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
叶璟宗;郑婷文;詹富闵 |
| 主权项 |
一种半导体装置，包括： 一基板，包括一P型金氧半导体场效电晶体(PMOSFET)区域与一N型金氧半导体场效电晶体(NMOSFET)区域； 一第一闸极电极和一第二闸极电极，在该P型金氧半导体场效电晶体区域； 一第三闸极电极和一第四闸极电极，在该N型金氧半导体场效电晶体区域； 该些第一到第四闸极电极定义一闸极截止区，其通过该些第一与第三闸极电极值之间与通过该些第二与第四之间；以及 一第一接点与一第二接点 ，分别连接该第一闸极电极与该第四闸极电极， 每个该第一与第二接点的一部份直视时重叠于该闸极截止区。 |
| 地址 |
南韩 |
