| 发明名称 | 三维记忆体及其制造方法 | ||
| 摘要 | 明书揭露一种三维记忆体及其制造方法。根据一实施例，此种三维记忆体包括一薄膜电晶体。此一薄膜电晶体具有分开设置的一源极区及一汲极区。源极区包括一第一源极区及一第二源极区，第二源极区设置于第一源极区与汲极区之间。第一源极区为p型掺杂，第二源极区为n型掺杂，汲极区为n型掺杂。 | ||
| 申请公布号 | TW201618236 | 申请公布日期 | 2016.05.16 |
| 申请号 | TW103139462 | 申请日期 | 2014.11.14 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 萧逸璿;陈威臣 |
| 分类号 | H01L21/8239(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8239(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 祁明辉;林素华 | |
| 主权项 | 【第1项】一种三维记忆体，包括：一薄膜电晶体，具有分开设置的一源极区及一汲极区，其中该源极区包括一第一源极区及一第二源极区，该第二源极区设置于该第一源极区与该汲极区之间，且其中该第一源极区为p型掺杂、该第二源极区为n型掺杂、该汲极区为n型掺杂。 | ||
| 地址 | 新竹县科学工业园区力行路16号 | ||