| 摘要 |
본 발명의 일 실시예는 전력 정류 디바이스에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 플로팅 게이트(floating gate) 구조의 MOSFET과 같은 수직 전류 흐름 구조를 형성하여 단위 면적당 전류 효율을 향상시킴으로써, 순방향 턴-온 전압을 낮추고, 스위칭 속도 및 역방향 회복 시간 등을 향상시킬 수 있는 전력 정류 디바이스를 제공하는데 있다. 이를 위해 본 발명은 제1도전형 기판; 상기 제1도전형 기판에 형성되고, 하부 방향으로 트렌치를 갖는 제1도전형 영역; 상기 트렌치에 매립된 게이트 전극; 상기 제1도전형 영역 중 상기 트렌치의 외측에 상부 방향으로 돌출되어 형성된 제2도전형 영역; 상기 트렌치와 상기 제2도전형 영역 사이에 형성된 제1도전형 소스 영역; 상기 게이트 전극, 상기 제2도전형 영역 및 상기 제1도전형 소스 영역에 접속된 애노드 전극; 및 상기 제1도전형 기판에 접속된 캐소드 전극을 포함하고, 상기 트렌치의 깊이는 상기 제2도전형 영역의 깊이보다 큰 전력 정류 디바이스를 개시한다. |
