Vertikaler Leistungs-MOSFET und Verfahren zu dessen Herstellung

摘要

Vorrichtung, die aufweist: eine Halbleiterschicht (20) eines ersten Leitfähigkeitstyps; einen ersten und einen zweiten Body-Bereich (26) über der Halbleiterschicht, wobei der erste und der zweite Body-Bereich (26) einen zweiten Leitfähigkeitstyp aufweisen, der dem ersten Leitfähigkeitstyp entgegengesetzt ist; einen dotierten Halbleiterbereich (32) des ersten Leitfähigkeitstyps, der zwischen dem ersten und dem zweiten Body-Bereich (26) angeordnet ist und diese kontaktiert; eine dielektrische Gate-Schicht (28) über dem ersten und dem zweiten Body-Bereich (26) und dem dotierten Halbleiterbereich (32); eine erste und eine zweite Gate-Elektrode (30) über der dielektrischen Gate-Schicht (28), welche den ersten bzw. den zweiten Body-Bereich (26) überlappen, wobei die erste und die zweite Gate-Elektrode (30) über eine Lücke (29) physisch voneinander getrennt sind, und wobei diese elektrisch miteinander verbunden sind, und wobei die Lücke (29) den dotierten Halbleiterbereich (32) überlappt; und eine leitfähige Feldplatte (48), die sich in die Lücke (29) zwischen den Gate-Elektroden (30) hinein erstreckt und den dotierten Halbleiterbereich (32) überlappt.