发明名称 大面积全聚焦型双曲率弯曲晶体的制作方法
摘要 一种大面积全聚焦型双曲率弯曲晶体的制作方法,其特征在于它包括以下步骤:一、罗兰圆方向:(1)加工制作中心晶片;(2)加工制作中心晶片两侧晶片;二、与罗兰圆垂直的圆弧面方向:将步骤1中制作完成的罗兰圆方向上全部覆盖的晶体,在原位,沿着入射焦点S和出射焦点F形成的光轴,进行旋转的半径r弯曲,形成双曲率弯曲晶体。本发明的有益效果是:本发明以简单可行的小块晶体的加工方法,在两个方向上分段实现全聚焦晶体衍射,实现晶体在设计的全聚焦曲面上实现大面积的、双曲率弯曲的晶体,可以收集更多的入射强度;并利用该技术实现X射线单色化和波长色散X射线荧光分析中的晶体分光,大大提高了晶体衍射效率和强度。
申请公布号 CN105575454A 申请公布日期 2016.05.11
申请号 CN201510369348.2 申请日期 2015.06.29
申请人 中国建材检验认证集团股份有限公司 发明人 宋欣;张磊;付晓光;李海建;宋晓琨
分类号 G21K1/06(2006.01)I 主分类号 G21K1/06(2006.01)I
代理机构 天津天麓律师事务所 12212 代理人 王里歌
主权项 一种大面积全聚焦型双曲率弯曲晶体的制作方法,其特征在于它包括以下步骤:一、罗兰圆方向:(1)加工制作中心晶片;(2)加工制作中心晶片两侧晶片:第一步,根据晶体坯料的大小,在罗兰圆中心线两侧设若干晶片在罗兰圆上;第二步,在晶体表面沿与晶体晶面成γ角磨初始偏离角,也就是晶体表面与晶面夹角为γ;第三步,在晶体表面磨制2R内凹弧面,弧面中心为点C;第四步,沿与2R表面平行方向,取下晶体薄片;第五步,将晶体薄片中心点C对准晶片所对应的在罗兰圆上的中心点B的位置,继续弯曲晶体薄片,最终将晶体薄片内表面曲率半径弯成为R;第六步,分别制作与罗兰圆上若干中心点相对应的晶片,直到将将罗兰圆全部覆盖;二、与罗兰圆垂直的圆弧面方向:将步骤一中制作完成的罗兰圆方向上全部覆盖的晶体,在原位,沿着入射焦点S和出射焦点F形成的光轴,进行旋转的半径r弯曲,形成双曲率弯曲晶体。
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