发明名称 |
一种使用图形化退火多孔结构进行GaN单晶生长的方法 |
摘要 |
一种使用图形化退火多孔结构进行GaN单晶生长的方法,包括以下步骤:(1)在GaN外延片上制备SiO<sub>2</sub>图形掩膜;(2)将带有SiO<sub>2</sub>图形掩膜的GaN外延片在真空炉内高温退火;(3)将退火后的带有SiO<sub>2</sub>图形掩膜的GaN外延片形成多孔GaN衬底;(4)将多孔GaN衬底HVPE外延生长,得到GaN单晶。该方法通过GaN外延片图形掩膜制备、高温退火、清洗干燥以及HVPE法生长,最后得到了高质量的GaN单晶,并有利于外延生长的GaN单晶自剥离形成自支撑衬底,这种方法制作简单、工艺成熟,能够提高外延生长GaN单晶的质量,有利于实现GaN单晶与异质衬底的自剥离,适合批量生产。 |
申请公布号 |
CN103866380B |
申请公布日期 |
2016.05.11 |
申请号 |
CN201410114052.1 |
申请日期 |
2014.03.25 |
申请人 |
山东大学 |
发明人 |
郝霄鹏;戴元滨;吴拥中;张雷;邵永亮;刘晓燕;田媛 |
分类号 |
C30B25/04(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I |
主分类号 |
C30B25/04(2006.01)I |
代理机构 |
济南金迪知识产权代理有限公司 37219 |
代理人 |
宁钦亮 |
主权项 |
一种使用图形化退火多孔结构进行GaN单晶生长的方法,其特征是,包括以下步骤:(1)在GaN外延片上制备SiO<sub>2</sub>图形掩膜,GaN外延片的厚度为2μm‑5μm,SiO<sub>2</sub>图形掩膜为四方排列的开孔或者六方排列的开孔,SiO<sub>2</sub>图形掩膜厚度为50nm‑100nm,开孔周期为60μm‑150μm,开孔直径为10μm‑15μm;(2)将带有SiO<sub>2</sub>图形掩膜的GaN外延片在真空炉内,1200‑1300℃下高温退火60分钟‑90分钟;(3)将退火后的带有SiO<sub>2</sub>图形掩膜的GaN外延片在去离子水中超声清洗5分钟,然后在质量比80%以上的浓磷酸中漂洗1分钟‑5分钟,用去离子水冲洗干净;然后在25℃‑53℃丙酮和25℃‑73℃乙醇溶液中分别清洗1分钟‑5分钟,用去离子水冲洗干净,再用氢氟酸漂洗20秒‑5分钟去除SiO<sub>2</sub>层,用去离子水冲洗干净,氮气烘干,形成多孔GaN衬底;(4)将多孔GaN衬底通过HVPE外延生长,得到GaN单晶。 |
地址 |
250100 山东省济南市历城区山大南路27号 |