| 发明名称 | 薄膜晶体管阵列及图像显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供在层间绝缘膜的形成中不使用光刻法、层间绝缘膜中缺陷少的薄膜晶体管阵列。薄膜晶体管阵列至少具备绝缘基板(10)、栅电极(11)、栅极绝缘膜(12)、源电极(13B)、漏电极(14)、半导体层(15)、覆盖半导体层(15)的保护层(16)、像素电极(18)、以及形成在漏电极(14)与像素电极(18)之间的层间绝缘膜(17)。层间绝缘膜(17)是有机膜或有机与无机的混合膜，层间绝缘膜(17)在形成有漏电极(14)的位置的一部分具有通孔(40)以使像素电极(18)连接于漏电极(14)，漏电极(14)具有位于通孔(40)内且在电极材料上形成有开口的开口部，在通孔(40)内的漏电极(14)上存在硫醇基或二硫化物基。 | ||
| 申请公布号 | CN105580120A | 申请公布日期 | 2016.05.11 |
| 申请号 | CN201480053246.3 | 申请日期 | 2014.09.11 |
| 申请人 | 凸版印刷株式会社 | 发明人 | 熊谷稔;池田典昭 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/288(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 白丽;陈建全 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管阵列，其是至少具备绝缘基板、栅电极、栅极绝缘膜、源电极、漏电极、半导体层、覆盖所述半导体层的保护层、像素电极、以及形成在所述漏电极与所述像素电极之间的层间绝缘膜的薄膜晶体管阵列，其中，所述层间绝缘膜是有机膜或有机与无机的混合膜，所述层间绝缘膜在形成有所述漏电极的位置的一部分具有通孔以使所述像素电极连接于所述漏电极，所述漏电极具有位于所述通孔内且在电极材料上形成有开口的开口部，在所述通孔内的所述漏电极上存在硫醇基或二硫化物基。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||