导电性氧化物及其制造方法与氧化物半导体膜

摘要

明之导电性氧化物系含有In、Al、选自由Zn及Mg所组成之群中之至少1种元素M、及O，且含有晶质Al2MO4。本发明之导电性氧化物之制造方法系包含如下步骤：当将选自由Zn及Mg所组成之群中之至少1种元素设为M时，制备含有Al2O3粉末与MO粉末之第1混合物之步骤(S10)；藉由锻烧第1混合物而制作晶质Al2MO4粉末之步骤(S20)；制备含有晶质Al2MO4粉末与In2O3粉末之第2混合物之步骤(S30)；藉由将第2混合物成形而获得成形体之步骤(S40)；及对成形体进行烧结之步骤(S50)。藉此，可提供一种价格低廉且可较佳地用于溅镀之靶而获得高物性之氧化物半导体膜的导电性氧化物及其制造方法与氧化物半导体膜。

主权项

一种导电性氧化物，其含有In、Al、选自由Zn及Mg所组成之群中之至少1种元素M、及O，且含有晶质Al2ZnO4或晶质Al2MgO4作为晶质Al2MO4；其中含有上述晶质Al2ZnO4时，进而含有选自由晶质In2Al2(1-m)Zn1-qO7-p(0≦m<1、0≦q<1、0≦p≦3m+q)及晶质In2O3所组成之群中之至少1种晶质；含有上述晶质Al2MgO4时，进而含有选自由晶质In2Al2(1-n)Mg1-tO7-s(0≦n<1、0≦t<1、0≦s≦3n+t)及晶质In2O3所组成之群中之至少1种晶质。