发明名称 |
穿隧式磁阻的感测装置及其感测方法 |
摘要 |
穿隧式磁阻的感测装置包含磁性随机存取记忆体阵列、参考单元及感测放大器闩锁电路。磁性随机存取记忆体阵列包含校正单元与复数资料单元。复数资料单元则用以储存使用者资料。参考单元由控制讯号控制。感测放大器闩锁电路比较于磁性随机存取记忆体阵列之一受选磁性随机存取记忆体单元之阻抗与参考单元之阻抗,并依据比较之结果输出逻辑讯号。其中,校正单元、复数资料单元与参考单元中之每一者为一磁性存取记忆体单元,并且控制讯号是藉由在校正程序中比较校正单元之阻抗与参考单元之阻抗来建立。 |
申请公布号 |
TWI533320 |
申请公布日期 |
2016.05.11 |
申请号 |
TW103129105 |
申请日期 |
2014.08.22 |
申请人 |
瑞昱半导体股份有限公司 |
发明人 |
林 嘉亮 |
分类号 |
G11C7/00(2006.01);G11C11/15(2006.01);G11C11/16(2006.01) |
主分类号 |
G11C7/00(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
李文贤 |
主权项 |
一种穿隧式磁阻的感测装置,包含: 一磁性随机存取记忆体阵列,包含: 一校正单元;及 复数资料单元,用以储存使用者资料; 一参考单元,由一控制讯号控制,其中该校正单元、该些资料单元以及该参考单元中之每一者为一磁性随机存取记忆体单元,并且该控制讯号是藉由在一校正程序中比较该校正单元之阻抗与该参考单元之阻抗来建立;及 一感测放大器闩锁电路,用以比较于该磁性随机存取记忆体阵列之该些磁性随机存取记忆体单元中之一受选磁性随机存取记忆体单元之阻抗与该参考单元之阻抗,并依据比较之结果输出一逻辑讯号。 |
地址 |
新竹县宝山乡新竹科学园区创新二路2号 |