发明名称 一种低磁导率纳米晶软磁合金及其制备方法
摘要 本发明涉及一种低磁导率纳米晶软磁合金及其制备方法,其组成成份及重量份数如下:铁60-70份;镍1-5份;硅5-10份;硼5-10份;铌5-10份;铜0.7-1.3份;铝1-2份;钴0.1-1.7份。本发明合金的磁导率做到2000以下并且磁导率的线性度很好,磁导率线性段内磁导率变化率小于10%,增加了材料的抗直流能力和稳定性;提高了产品合格率,以前产品合格率只能做到30%左右,现在产品合格率可达到85%以上,产品的合格率大大地得到了提升;该合金扩展了铁芯的应用范围并且使一些产品结构设计得到更好的优化。
申请公布号 CN104195436B 申请公布日期 2016.05.11
申请号 CN201410376565.X 申请日期 2014.07.30
申请人 天津奥纳科技有限公司 发明人 安海路
分类号 C22C38/16(2006.01)I;H01F1/147(2006.01)I 主分类号 C22C38/16(2006.01)I
代理机构 天津盛理知识产权代理有限公司 12209 代理人 赵熠
主权项 一种低磁导率纳米晶软磁合金,其特征在于:其组成成份及重量份数如下:铁60‑70份;镍1‑5份;硅5‑10份;硼5‑10份;铌5‑10份;铜0.7‑1.3份;铝1‑2份;钴0.1‑1.7份;所述的低磁导率纳米晶软磁合金的制备方法,步骤如下:⑴按配方准确配料,把配好的料放入中频真空感应炉里真空熔炼,真空熔炼的条件为熔炼温度达到1400‑1600℃、熔炼时间2‑4小时、真空度0.2‑1Pa,形成合金溶液,将合金溶液倒入有冷却装置的旋转浇注盘里形成合金铸锭,该冷却装置要保证循环水压在0.1‑0.2MPa;⑵将步骤⑴中合金铸锭放入喷带设备上的中频感应坩埚里再进行二次熔炼,该熔炼温度1000‑1300℃、熔炼时间40‑60分钟,得二次熔炼溶液;将二次熔炼溶液倒入预热好的中间包里,预热温度不低于熔液温度以免影响熔液的流动性,通过中间包底部的喷嘴把溶液喷到高速旋转且带有急冷装置的铜辊上喷成薄带,薄带的宽度由喷嘴宽度决定,厚度由喷嘴和铜辊间距离决定;⑶将步骤⑵中薄带卷绕成环形铁芯进行低温退火工艺处理,即在420‑460℃保温3‑5小时,然后460‑500℃保温3‑5小时,即得低磁导率纳米晶软磁合金。
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