发明名称 | 一种半导体器件的制作方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制作方法,所述制作方法包括:步骤一、提供半导体衬底;步骤二、在所述半导体衬底上形成低k介电层和位于所述低k介电层中的铜互连结构;步骤三、引入第一气体源处理所述铜互连结构和所述低k介电层的表面,以形成高分子量聚合物层;步骤四、引入第二气体源处理所述高分子量聚合物层,以形成界面层;步骤五、交替重复步骤三和步骤四,直到所述界面层的厚度达到预定值;步骤六、在所述界面层上沉积形成电介质覆盖层。根据本发明的方法,能够改善Cu/介质覆盖层界面特性,以改善电迁移特性,进而提高器件的可靠性和良品率。 | ||
申请公布号 | CN105575881A | 申请公布日期 | 2016.05.11 |
申请号 | CN201410534793.5 | 申请日期 | 2014.10.11 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 邓浩 |
分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
主权项 | 一种半导体器件的制作方法,包括:步骤一、提供半导体衬底;步骤二、在所述半导体衬底上形成低k介电层和位于所述低k介电层中的铜互连结构;步骤三、引入第一气体源处理所述铜互连结构和所述低k介电层的表面,以形成高分子量聚合物层;步骤四、引入第二气体源处理所述高分子量聚合物层,以形成界面层;步骤五、交替重复步骤三和步骤四,直到所述界面层的厚度达到预定值;步骤六、在所述界面层上沉积形成电介质覆盖层。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |