提升崩溃电压的沟槽式功率半导体元件及其制造方法

摘要

本发明提供一种提升崩溃电压的沟槽式功率半导体元件及其制造方法，该提升崩溃电压的沟槽式功率半导体元件在相邻的栅极沟槽之间形成有一第一沟槽，贯穿本体区；在第一沟槽底部具有一多晶硅结构，其导电型与此功率半导体元件的本体区的导电型相同，并且与本体区间隔一预定距离；在多晶硅结构上方形成有介电结构，至少向上延伸至本体区；本体区的上部分形成有源极区；本体区内并具有重掺杂区；导电结构电性连接重掺杂区与源极区。本发明可以改善沟槽式功率半导体元件的动态特性与提升崩溃电压，并保持结构的可靠性。

主权项

一种提升崩溃电压的沟槽式功率半导体元件，其特征在于，该提升崩溃电压的沟槽式功率半导体元件包括：基材；至少二个栅极沟槽，位于该基材内；第一介电层，覆盖该栅极沟槽的内侧表面；第一多晶硅结构，位于该至少二个栅极沟槽内；至少一个第一沟槽，位于该二个栅极沟槽之间；第一导电型的本体区，位于该至少二个栅极沟槽间，该第一沟槽贯穿该本体区且延伸至该本体区下方；第一导电型的第二多晶硅结构，填入该第一沟槽的下部分，该第二多晶硅结构位于该本体区下方，并且与该本体区间隔预定距离；第二导电型的源极区，位于该本体区的上部分，该第二导电型与该第一导电型的电性相反；第一导电型的重掺杂区，位于该本体区内；以及源极金属层，电性连接该重掺杂区与该源极区。