| 发明名称 | 一种具有抑制极化效应垒层蓝光LED外延结构 | ||
| 摘要 | 一种具有抑制极化效应垒层蓝光LED外延结构，涉及发光二极管技术领域。本发明从下至上依次包括衬底、AlN缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、浅量子阱层、有源区、电子阻挡层和P型GaN层。所述浅量子阱层与有源区之间插入抑制极化效应垒层，所述抑制极化效应垒层从下至上包括Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N层和SiN层。本发明通过在现有外延结构中插入一种新型垒层，释放应力、抑制极化、降低缺陷密度从而提高辐射复合几率，降低极化效应，以达到增强LED内量子效率的目的。 | ||
| 申请公布号 | CN105552186A | 申请公布日期 | 2016.05.04 |
| 申请号 | CN201410590238.4 | 申请日期 | 2014.10.29 |
| 申请人 | 南通同方半导体有限公司 | 发明人 | 田宇;张晓龙;俞登永;郑建钦;曾欣尧;童敬文;吴东海;李鹏飞 |
| 分类号 | H01L33/12(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/12(2010.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种具有抑制极化效应垒层蓝光LED外延结构，它从下至上依次包括衬底（1）、AlN缓冲层（2）、U型GaN层（3）、N型GaN层（4）、浅量子阱层（5）、有源区（7）、电子阻挡层（8）和P型GaN层（9），其特征在于：所述浅量子阱层（5）与有源区（7）之间插入抑制极化效应垒层（6），所述抑制极化效应垒层（6）从下至上包括Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N层（10）和SiN层（11）。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华同方科技广场A座29层 | ||