| 发明名称 | 薄膜晶体管、其制造方法以及装备有该薄膜晶体管的图像显示装置 | ||
| 摘要 | 一种薄膜晶体管，在绝缘基板上至少包括：栅电极；栅极绝缘层；源电极；漏电极；包含半导体区和绝缘区的金属氧化物层，半导体区和绝缘区中的每一个由相同的金属氧化物材料组成；和绝缘保护层。半导体区包括在源电极与漏电极之间的区域，且其覆盖源电极和漏电极中的每一个的一部分。半导体区形成在栅极绝缘层与绝缘保护层之间以与它们中的至少一层邻接。该半导体的电导率高于绝缘区的电导率。 | ||
| 申请公布号 | CN103140920B | 申请公布日期 | 2016.05.04 |
| 申请号 | CN201180047023.2 | 申请日期 | 2011.09.21 |
| 申请人 | 凸版印刷株式会社 | 发明人 | 今村千裕;宫入由香里;小山浩晃 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G02F1/167(2006.01)I;G09F9/30(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人 | 许向彤;陈英俊 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，在绝缘基板上，至少包括：栅电极；栅极绝缘层；源电极；漏电极；金属氧化物层，其包含半导体区和绝缘区，半导体区和绝缘区中的每一个由相同的金属氧化物材料组成；和绝缘保护层，其中：所述半导体区包括在源电极与漏电极之间的区域，且其覆盖源电极和漏电极中的每一个的一部分；该半导体区形成在栅极绝缘层与绝缘保护层之间以与栅极绝缘层和绝缘保护层中的至少一层邻接；与半导体区邻接的栅极绝缘层或绝缘保护层的一部分，在其中含有氢原子，且将栅极绝缘层或绝缘保护层的该部分中含有的氢原子浓度设定在1×10<sup>20</sup>/cm<sup>3</sup>至5×10<sup>22</sup>/cm<sup>3</sup>的范围内，包括端点值；不与该半导体区邻接的栅极绝缘层或绝缘保护层的另一部分，在其中含有氢原子，且将栅极绝缘层或绝缘保护层的该另一部分中含有的氢原子浓度设定为低于1×10<sup>20</sup>/cm<sup>3</sup>。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||