| 发明名称 | N型掺杂硅薄膜、其制备方法和包括其的太阳能电池 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种N型掺杂硅薄膜、其制备方法和包括其的太阳能电池。该制备方法包括以下步骤：利用等离子体增强化学气相沉积工艺在位于反应室的太阳能电池半成品上沉积形成N型掺杂硅薄膜，等离子体增强化学气相沉积工艺的反应气体包括硅源气体、氢气和掺杂气体，其中，氢气与硅源气体流量比为80:1～150:1，实施等离子体增强化学气相沉积工艺时，太阳能电池半成品的表面温度为50～70℃、等离子体增强化学气相沉积工艺的辉光功率密度为0.8W/cm2～1.5W/cm2，反应气压为500Pa～750Pa；形成的N型掺杂硅薄膜的晶粒尺寸小于5nm，能带宽度大于1.9eV，激活能小于0.1eV。以提高太阳能电池转换效率。 | ||
| 申请公布号 | CN105552143A | 申请公布日期 | 2016.05.04 |
| 申请号 | CN201610083958.0 | 申请日期 | 2016.02.06 |
| 申请人 | 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 | 发明人 | 彭文博;刘大为;高虎 |
| 分类号 | H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/028(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0216(2014.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 赵囡囡;吴贵明 |
| 主权项 | 一种N型掺杂硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：利用等离子体增强化学气相沉积工艺在位于反应室的太阳能电池半成品上沉积形成N型掺杂硅薄膜，所述等离子体增强化学气相沉积工艺的反应气体包括硅源气体、氢气和掺杂气体，其中，氢气与硅源气体流量比为80:1～150:1，实施所述等离子体增强化学气相沉积工艺时，所述太阳能电池半成品的表面温度为50～70℃、所述等离子体增强化学气相沉积工艺的辉光功率密度为0.8W/cm<sup>2</sup>～1.5W/cm<sup>2</sup>，反应气压为500Pa～750Pa；形成的所述N型掺杂硅薄膜的晶粒尺寸小于5nm，能带宽度大于1.9eV，激活能小于0.1eV。 | ||
| 地址 | 102209 北京市昌平区北七家未来科技城华能人才创新创业基地实验楼A楼 | ||