发明名称 |
Integrierte Schaltung mit mehrstufiger Anpassungsschaltung und Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltung mit mehrstufiger Anpassungsschaltung |
摘要 |
Integrierte Schaltung (100) mit einer mehrstufigen Anpassungsschaltung (130; 1040), mit folgenden Merkmalen: einer als Planarspule gebildeten induktiven Leiterstruktur (132) mit einem ersten Ende und einem zweiten Ende in der integrierten Schaltung (100); und einer Kondensatorstruktur (136) in der integrierten Schaltung (100), die mit einem Abgriff zwischen den Enden der als Planarspule gebildeten induktiven Leiterstruktur (132) zwischen der induktiven Leiterstruktur (132) und einem Bezugspotential geschaltet ist. |
申请公布号 |
DE102008027422(B4) |
申请公布日期 |
2016.05.04 |
申请号 |
DE20081027422 |
申请日期 |
2008.06.09 |
申请人 |
Intel Deutschland GmbH |
发明人 |
Bakalski, Winfried, Dr.;Kitlinski, Krzysztof, Dr.;Zannoth, Markus, Dr. |
分类号 |
H01L23/66;H01L21/822;H01L27/06;H03F1/56;H03F3/195 |
主分类号 |
H01L23/66 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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