一种温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li₂B₂Ge₂O₈及其制备方法

摘要

本发明公开了一种低损耗温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li₂B₂Ge₂O₈及其制备方法。（1）将化学原料Li₂CO₃、H₃BO₃和GeO₂粉末按化学计量式Li₂B₂Ge₂O₈称量配料；（2）将步骤（1）原料湿式球磨混合12小时，球磨介质为蒸馏水，烘干后在850℃大气气氛中预烧6小时；（3）在步骤（2）制得的粉末中添加粘结剂并造粒后，再压制成型，最后在900~950℃大气气氛中烧结4小时；所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液，聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在960℃以下烧结良好，介电常数达到18.1～19.6，其品质因数Qf值高达64900-81400GHz，谐振频率温度系数小，在工业上有着极大的应用价值。

主权项

一种复合氧化物作为温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷的应用，其特征在于所述微波介电陶瓷的化学组成为：Li₂B₂Ge₂O₈，其介电常数为18.1~19.6，谐振频率温度系数为7ppm /℃；所述微波介电陶瓷的制备方法具体步骤为：（1）将化学原料Li₂CO₃、H₃BO₃和GeO₂粉末按化学计量式Li₂B₂Ge₂O₈称量配料；（2）将步骤（1）原料湿式球磨混合12小时，球磨介质为蒸馏水，烘干后在850℃大气气氛中预烧6小时；（3）在步骤（2）制得的粉末中添加粘结剂并造粒后，再压制成型，最后在900~950℃大气气氛中烧结4小时；所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液，聚乙烯醇添加量占粉末总质量的3%。