发光二极体基板之图形化微结构

摘要

明系有关于一种发光二极体基板之图形化微结构，基板系具有复数个阵列排列的图形化微结构，每一图形化微结构系包括有一底面及一侧面，侧面系相邻底面且与底面夹有一θ角，0°＜θ＜90°，其中底面之长度系介于2.5微米~2.8微米之间，而侧面远离底面之一端系渐缩成一交点，交点距离底面之高度系介于1.5微米~1.9微米之间；藉此，本发明系藉由最佳化位于发光二极体之基板上呈周期性且交错排列之图形化微结构的尺寸，有效达到发光二极体之光萃取效率的提升。

主权项

一种发光二极体基板之图形化微结构，该基板系具有复数个阵列排列的图形化微结构，每一图形化微结构系包括有一底面及一侧面，该侧面系相邻该底面且与该底面夹有一θ角，0°＜θ＜90°，其中该底面之长度系介于2.5微米~2.8微米之间，而该侧面远离该底面之一端系渐缩成一交点，该交点距离该底面之高度系介于1.5微米~1.9微米之间。