发明名称 极低电阻材料及其改质与产生方法
摘要 发明之一些实施例中,可对现有的极低电阻材料(「ELR材料」)进行改质且/或可产生新颖ELR材料,此系藉由增强ELR材料内之孔隙(在现有ELR材料的情况下)及/或在ELR材料内产生孔隙(在新颖ELR材料的情况下),以使得孔隙在较高温度下得以维持,以免阻碍电荷传导通过孔隙。在本发明之一些实施例中,只要电荷之传导通过孔隙保持不受阻碍,则该材料应保持在ELR状态;否则,当电荷传导通过孔隙受阻时,则ELR材料开始转变为非ELR状态。
申请公布号 TWI532227 申请公布日期 2016.05.01
申请号 TW099133794 申请日期 2010.10.04
申请人 亚伯契有限责任公司 发明人 吉尔伯特 道格拉斯J
分类号 H01L39/12(2006.01);H01L39/24(2006.01) 主分类号 H01L39/12(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项 一种物质组合物,其包含:具有其中形成有孔隙之晶体结构的极低电阻(ELR)材料,其中该孔隙促进以ELR状态传导电荷通过该晶体结构;及改质材料,其键结于该ELR材料之一面,藉此维持该ELR材料之孔隙,使得该组合物相对于不含该改质材料之该ELR材料具有改良之操作特性,其中该ELR材料之该面系平行于该ELR材料之a平面或b平面。
地址 美国