发明名称 |
极低电阻材料及其改质与产生方法 |
摘要 |
发明之一些实施例中,可对现有的极低电阻材料(「ELR材料」)进行改质且/或可产生新颖ELR材料,此系藉由增强ELR材料内之孔隙(在现有ELR材料的情况下)及/或在ELR材料内产生孔隙(在新颖ELR材料的情况下),以使得孔隙在较高温度下得以维持,以免阻碍电荷传导通过孔隙。在本发明之一些实施例中,只要电荷之传导通过孔隙保持不受阻碍,则该材料应保持在ELR状态;否则,当电荷传导通过孔隙受阻时,则ELR材料开始转变为非ELR状态。 |
申请公布号 |
TWI532227 |
申请公布日期 |
2016.05.01 |
申请号 |
TW099133794 |
申请日期 |
2010.10.04 |
申请人 |
亚伯契有限责任公司 |
发明人 |
吉尔伯特 道格拉斯J |
分类号 |
H01L39/12(2006.01);H01L39/24(2006.01) |
主分类号 |
H01L39/12(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
主权项 |
一种物质组合物,其包含:具有其中形成有孔隙之晶体结构的极低电阻(ELR)材料,其中该孔隙促进以ELR状态传导电荷通过该晶体结构;及改质材料,其键结于该ELR材料之一面,藉此维持该ELR材料之孔隙,使得该组合物相对于不含该改质材料之该ELR材料具有改良之操作特性,其中该ELR材料之该面系平行于该ELR材料之a平面或b平面。
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地址 |
美国 |