| 发明名称 |
化合物半导体装置及其制造方法 |
| 摘要 |
化合物半导体装置之一实施例包括：一基材；一化合物半导体堆叠结构，其形成在该基材上方；及一非晶质绝缘膜，其形成在该基材与该化合物半导体堆叠结构之间。
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| 申请公布号 |
TWI532170 |
申请公布日期 |
2016.05.01 |
| 申请号 |
TW101125812 |
申请日期 |
2012.07.18 |
| 申请人 |
富士通股份有限公司 |
发明人 |
中村哲一;山田敦史;尾崎史朗;今西健治 |
| 分类号 |
H01L29/778(2006.01);H01L29/812(2006.01);H01L21/338(2006.01);H01L21/205(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/778(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
恽轶群;陈文郎 |
| 主权项 |
一种化合物半导体装置，包含：一基材；一化合物半导体堆叠结构，其形成在该基材上方；及一非晶质绝缘膜，其形成在该基材与该化合物半导体堆叠结构之间，其中该非晶质绝缘膜是一非晶质碳膜。
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| 地址 |
日本 |
