发明名称 应用导电元件实现近接感测技术的装置
摘要 明提供一种电子装置,包含有一触控区,位于该电子装置表面,一电容感测电极,位于该电子装置表面但不位于该触控区以内,以及一控制晶片,侦测该电容感测电极之状态,并且根据该电容感测电极之状态,发出一信号以控制该电子装置。
申请公布号 TW201616285 申请公布日期 2016.05.01
申请号 TW103141051 申请日期 2014.11.26
申请人 业成光电(深圳)有限公司;英特盛科技股份有限公司 发明人 翁瑞兴;何姿谊
分类号 G06F3/033(2013.01) 主分类号 G06F3/033(2013.01)
代理机构 代理人 叶大慧
主权项 一种电子装置,包含有:一触控区,位于该电子装置表面;一电容感测电极,位于该电子装置表面但不位于该触控区以内,且该电容感测电极的状态随着该电容感测电极与另一物体之间的距离大小而改变;以及一控制晶片,侦测该电容感测电极之状态,并且根据该电容感测电极之状态,发出一信号以控制该电子装置。
地址 中国;新竹科学工业园区科中路16号2楼