| 摘要 |
L'invention concerne un capteur d'image disposé dans et sur un substrat semiconducteur (201) ayant une face avant et une face arrière, ce capteur comportant une pluralité de pixels (300) comprenant chacun : une zone photosensible (105), une zone de lecture (111), et une zone de stockage (107) s'étendant entre la zone photosensible (105) et la zone de lecture (111) ; une électrode verticale isolée (103) comportant une ouverture de transfert entre la zone photosensible (105) et la zone de stockage (107) ; et au moins un élément d'isolement parmi les suivants : a) une couche (201c) d'un matériau isolant s'étendant sous la surface de la zone photosensible (105) et de la zone de stockage (107) et ayant sa face avant en contact avec la face arrière de l'électrode (103) ; et b) un mur d'isolement (330) s'étendant verticalement dans l'ouverture, ou sous l'ouverture. |
