| 摘要 |
Cu-Ga층 내에 균일하게 Na성분을 첨가시킬 수 있는 저온분사를 이용한 스퍼터링 타겟의 제조방법 및 이를 수행하는 저온분사장치가 개시된다. 본 발명에 따른 저온분사를 이용한 스퍼터링 타겟의 제조방법은 금속으로 이루어진 백킹 플레이트 또는 모재를 저온분사 장치의 전방에 배치한 후, Cu:Ga가 7:3~8:2의 중량비 조성으로 합금화된 Cu-Ga분말과, Cu-Ga분말대비 0.01~0.05중량부의 NaS분말로 이루어지는 혼합분말을 저온분사 장치내의 혼합챔버로 공급한 후, 혼합챔버 내로 작동가스를 공급하여 공급된 작동가스와 함께 고속으로 분사된 혼합분말을 상기 백킹 플레이트 또는 모재의 표면에 코팅하여 제조된다. 또한, 본 발명에 따른 저온분사장치는 외부에서 유입되는 고온의 작동가스와 고체분말의 혼합물을, 내부에 형성된 중공을 통하여 초음속으로 이동시켜 모재의 표면으로 분사하는 분사노즐을 포함하는 장치로서, 분사노즐의 외부를 감싸도록 형성되어, 분사노즐의 내부 중공에 고체분말이 융착 혹은 고착되지 않도록 냉매를 통해 분사노즐을 냉각시키는 냉각부재를 더 포함하여 구성될 수 있다. |
