一种平板电容的划切方法

摘要

本发明公开了一种平板电容的划切方法。该划切方法的大致过程为：首先在介质层的上、下表面上形成电镀种子层，并对电镀种子层加厚处理形成电极层，在电极层的表面上涂覆光刻胶，然后根据砂轮机切缝的大小制作具有切缝图形的掩膜版并对工件进行双面曝光，曝光后的工件经过显影和定影形成切缝的光刻胶掩膜图形，对工件进行刻蚀操作，直到切缝处的介质层暴露在外面，去除光刻胶掩膜，最后沿着切缝位置对工件进行划切得到成品电容。本发明有效的减少了平板电容划切时毛刺和膜层脱落现象的发生，提高了平板电容的划切质量和成品率。本发明降低了对划切设备的要求，增大了划切工艺窗口，使得划切设备划切电容时的可控性增加。

主权项

一种平板电容的划切方法，其特征在于包括如下步骤：a、准备介质层，介质层的表面上设置有第一定位孔；第一定位孔的数量至少为两个；b、在介质层的上、下表面上形成电镀种子层；其中，通过溅射、蒸发或化学气相淀积的方式形成所述电镀种子层，电镀种子层的厚度为50～300nm；c、对步骤b中的电镀种子层加厚处理形成电极层；其中，通过电镀工艺对步骤b中的电镀种子层加厚处理形成所述电极层，电极层的厚度为1～3um；d、在步骤c形成的电极层的表面上涂覆光刻胶；其中，在电极层的表面上涂覆光刻胶之后进行干燥处理；e、制作具有切缝图形的掩膜版并对工件进行双面曝光，在掩膜版上设置有大小、数量与第一定位孔均相同的第二定位孔，第二定位孔在掩膜版上的位置和第一定位孔在介质层上的位置对应；其中，掩膜版上的切缝图形宽度大于实际划切切缝的宽度；f、对曝光后的工件进行显影和定影，形成切缝的光刻胶掩膜图形；g、对工件进行刻蚀操作，直到切缝处的介质层暴露在外面；h、去除光刻胶掩膜；i、沿着切缝位置对工件进行划切得到成品电容。