带有氮化硅背板和硅牺牲层的MEMS声学传感器

摘要

一种微机电系统（MEMS）麦克风具有包含背侧沟槽的衬底，和沉积在该衬底上的在背侧沟槽之上延伸的柔性膜。柔性膜包含第一电极。硅隔板层被沉积在柔性膜的周围部分上。隔板层限定在膜和背侧沟槽上方的声学腔。富硅氮化硅（SiN）背板层被沉积在硅隔板层的顶上，该富硅氮化硅（SiN）背板层在声学腔之上延伸。背板将多个开口限定在声学腔中并且包含用作第二电极的金属化。

主权项

一种微机电系统（MEMS）器件，包括：衬底，包含背侧沟槽；柔性膜，沉积在所述衬底上，在所述背侧沟槽之上延伸，所述柔性膜包含第一电极；硅隔板层，沉积在所述柔性膜的周围部分上，隔板层限定定位在膜和背侧沟槽上方的声学腔；以及富硅氮化硅（SiN）背板层，沉积在所述硅隔板层的顶上，在所述声学腔之上延伸，背板将多个开口限定在所述声学腔中并且包含第二电极。