一种提高ZnON薄膜迁移率和稳定性的方法

摘要

一种提高ZnON薄膜迁移率和稳定性的方法，包括以下步骤：采用三明治结构的ZnON薄膜，三明治结构基底上的夹层为富氮ZnON薄膜，夹层上部的覆盖层为富氧ZnON薄膜，采用反应射频磁控溅射制备三明治结构的ZnON薄膜，以纯度为99.999％的锌靶为溅射靶材，生长ZnON薄膜前对高纯锌靶材利用氩离子束预溅射5-15分钟；通过两步反应射频磁控溅射生长的方法，第一步生长制备的非晶富氮ZnON薄膜；第二步制备富氧ZnON多晶薄膜；减小了薄膜体内和晶界缺陷密度，从而得到具有高迁移率、高稳定性的ZnON薄膜材料。

主权项

一种提高ZnON薄膜迁移率和稳定性的方法，其特征在于，包括以下步骤：采用三明治结构的ZnON薄膜，三明治结构基底上的夹层为富氮ZnON薄膜，夹层上部的覆盖层为富氧ZnON薄膜，采用反应射频磁控溅射制备三明治结构的ZnON薄膜(异质结)，以纯度为99.999％的锌靶为溅射靶材，以氩气、氮气、氧气的混合气体为溅射气体，生长ZnON薄膜前溅射室的背景真空度小于2×10^‑7Torr，以排净溅射室中的空气，射频功率为120‑300W，衬底温度为室温至100℃，生长ZnON薄膜前对高纯锌靶材利用氩离子束预溅射5‑15分钟；通过两步反应射频磁控溅射生长的方法，第一步：氩气、氮气、氧气的流量分别为20sccm、100sccm、0.8‑5sccm，薄膜厚度为20‑150纳米，第一步生长得到一层富氮的ZnON薄膜；第二步：氩气、氮气、氧气的流量分别为20sccm、100sccm、8‑20sccm，第二步生长得到一层富氧的ZnON薄膜，薄膜层厚为5‑30纳米。