一种形成硅化物阻挡层的方法

摘要

本发明涉及一种形成硅化物阻挡层的方法，应用于具有一硅衬底、栅极和栅极侧壁的晶体管器件。包括如下步骤：进行离子注入工艺，在衬底内部形成有源区；制备二氧化硅薄膜覆盖于衬底、栅极和栅极侧壁中暴露的部分；制备第一氮化硅薄膜覆盖于二氧化硅薄膜的表面；对晶体管器件采用高温热退火工艺；制备第二氮化硅膜覆盖于第一氮化硅薄膜的表面；部分去除第二氮化硅膜；部分去除第一氮化硅薄膜；部分去除二氧化硅薄膜；制备金属硅化物覆盖暴露的硅衬底和暴露的栅极表面；其中，第二氮化硅膜的厚度大于第一氮化硅薄膜的厚度。本发明在保证了注入离子在退火工艺中不被析出的同时，还避免了硅表面的翘曲和碎片的问题。

主权项

一种形成硅化物阻挡层的方法，应用于一硅衬底上，所述硅衬底的上表面还设置有栅极结构，其特征在于，包括如下步骤：进行离子注入工艺，于所述硅衬底中形成有源区；制备二氧化硅薄膜覆盖所述栅极结构及所述硅衬底暴露的上表面；制备第一氮化硅薄膜覆盖于所述二氧化硅薄膜的上表面；进行高温热退火工艺；于所述高温热退火工艺后，制备第二氮化硅膜覆盖于所述第一氮化硅薄膜的上表面；采用光刻工艺对所述第二氮化硅膜进行选择性的暴露；回蚀所述第二氮化硅膜和所述第一氮化硅薄膜至所述二氧化硅薄膜的上表面；回蚀所述二氧化硅薄膜至所述栅极结构顶部表面和所述硅衬底的上表面；制备金属硅化物覆盖暴露的所述硅衬底和暴露的所述栅极表面；其中，所述第二氮化硅膜的厚度大于所述第一氮化硅薄膜的厚度。