| 发明名称 | 掺杂方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种掺杂方法，包括：通过热扩散工艺在第一导电类型衬底的正面中形成第一导电类型掺杂层，并且在扩散掺杂过程中在该第一导电类型掺杂层上形成第一氧化层；在第一导电类型衬底的背面上淀积形成第二导电类型掺杂源；图形化蚀刻该第二导电类型掺杂源以暴露出预定区域的第一导电类型衬底；通过离子注入的方式在该预定区域的表面中形成第一导电类型掺杂区域；在退火的同时使该第二导电类型掺杂源中的第二导电类型离子扩散至该第一导电类型衬底中形成第二导电类型掺杂区域。本发明利用了热扩散工艺中形成的氧化层作为掩膜，来实现后续离子注入的局部掺杂，由此，无需额外形成掩膜，整体工艺极为简单，连贯性很强。 | ||
| 申请公布号 | CN105529251A | 申请公布日期 | 2016.04.27 |
| 申请号 | CN201410522243.1 | 申请日期 | 2014.09.30 |
| 申请人 | 上海晶玺电子科技有限公司 | 发明人 | 沈培俊;金光耀;王懿喆;陈炯 |
| 分类号 | H01L21/266(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/266(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人 | 薛琦 |
| 主权项 | 一种掺杂方法，其特征在于，其包括以下步骤：S1：通过热扩散工艺在第一导电类型衬底的正面中形成第一导电类型掺杂层，并且在扩散掺杂过程中在该第一导电类型掺杂层上形成第一氧化层；S2：在第一导电类型衬底的背面上淀积形成第二导电类型掺杂源；S3：图形化蚀刻该第二导电类型掺杂源以暴露出预定区域的第一导电类型衬底；S4：通过离子注入的方式在该预定区域的表面中形成第一导电类型掺杂区域；S5：在退火的同时使该第二导电类型掺杂源中的第二导电类型离子扩散至该第一导电类型衬底中形成第二导电类型掺杂区域。 | ||
| 地址 | 200092 上海市杨浦区铁岭路32号419-2室 | ||