发明名称 FLASH MEMORY DEVICE AND PROGRAM METHOD THEREOF
摘要 여기에 제공되는 플래시 메모리 장치는 워드 라인들과 비트 라인들로 배열된 메모리 셀들을 갖는 메모리 셀 어레이와; 선택된 워드 라인에 인가될 프로그램 전압을 발생하도록 구성된 전압 발생 회로와; 그리고 상기 각 워드 라인의 첫 번째 페이지의 프로그램 특성에 의거하여, 상기 각 워드 라인의 나머지 페이지들에 적용될 상기 프로그램 전압의 시작 레벨을 가변적으로 제어하도록 구성된 프로그램 전압 제어기를 포함한다.
申请公布号 KR101616099(B1) 申请公布日期 2016.04.27
申请号 KR20090119297 申请日期 2009.12.03
申请人 삼성전자주식회사 发明人 김무성;이한준
分类号 G11C16/06;G11C16/12;G11C16/34 主分类号 G11C16/06
代理机构 代理人
主权项
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